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近年來(lái)，在低溫強(qiáng)磁環(huán)境下研究納米尺度的物理學(xué)與材料學(xué)已成為學(xué)術(shù)研究的熱點(diǎn)。在低溫、強(qiáng)磁場(chǎng)下，依據(jù)原子力、磁力等可從物質(zhì)結(jié)構(gòu)、物理特性、溫度、磁場(chǎng)、電學(xué)、光學(xué)、微波等多個(gè)物理維度實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品性能的表征。它的應(yīng)用非常廣泛，例如研究超導(dǎo)材料、二維材料、拓?fù)浣^緣體等。

芯明天P13A系列壓電納米定位臺(tái)是專(zhuān)為極低溫、強(qiáng)磁環(huán)境而研發(fā)設(shè)計(jì)，采用低溫壓電驅(qū)動(dòng)，外殼采用輕型耐低溫、無(wú)磁材料。

產(chǎn)品特點(diǎn)

耐低溫可達(dá)4K

耐強(qiáng)磁

4K溫度下位移達(dá)25μm@150V

4K溫度下分辨率可達(dá)4nm

開(kāi)環(huán)驅(qū)動(dòng)，快速響應(yīng)

耐真空度達(dá)10^-5mbar

小體積

P13A.XYZ80K低溫壓電定位臺(tái)是P13A系列中的一種，可進(jìn)行XYZ三維掃描運(yùn)動(dòng)，它的體積小巧，尺寸僅46mm×46mm×18.7mm，中心具有5mm×5mm通孔。

位移與電壓曲線

P13A.XYZ80K系列低溫壓電納米定位臺(tái)的內(nèi)部采用低溫PZT壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)，采用電容測(cè)微儀對(duì)低溫臺(tái)進(jìn)行XYZ三軸位移的測(cè)試。

P13A.XYZ80K系列低溫壓電納米定位臺(tái)在常溫下的電壓與位移曲線圖如下圖所示。因PZT壓電陶瓷的耐低溫性，因此在低溫下，P13A.XYZ80K低溫臺(tái)基本可保持與常溫情況下相同的電壓與位移曲線趨勢(shì)與較大的位移輸出。

低溫導(dǎo)線

P13A.XYZ80K系列低溫壓電納米定位臺(tái)所有組件均采用低溫兼容版本，以保證其在低溫下的性能，包括導(dǎo)線。

普通導(dǎo)線的電阻在低溫下會(huì)發(fā)生大幅度改變，并且普通導(dǎo)線的外皮絕緣材質(zhì)也不耐低溫環(huán)境。因此，P13A.XYZ80K系列低溫壓電納米定位臺(tái)采用低溫兼容導(dǎo)線，可*勝任低溫下電信號(hào)的傳輸。

技術(shù)參數(shù)

型號(hào)：P13A.XYZ80K

運(yùn)動(dòng)方向：X Y Z

機(jī)構(gòu)原理：壓電驅(qū)動(dòng)杠桿放大機(jī)構(gòu)

精密調(diào)節(jié)范圍（XYZ）：

>66×66×66μm^3@60V、300K溫度

      25×25×25μm^3@150V、4K溫度

驅(qū)動(dòng)電壓：

0~60V@300K溫度

      0~150V@4K溫度

精密調(diào)節(jié)分辨率：

8nm@300K溫度

4nm@4K溫度

諧振頻率：

350Hz@空載

150HZ@100g

120Hz@150g

靜電容量（XY）：

5.4μF@300K溫度

      0.75μF@4K溫度

靜電容量（Z）：

10.8μF@300K溫度

      1.5μF@4K溫度

材料（無(wú)磁）：

殼體：鈦

致動(dòng)器：壓電陶瓷

連接線：絕緣雙絞線（銅）

承載能力：150g

重量（含導(dǎo)線、連接器）：168g

外形尺寸：46×46×18.7mm^3

安裝螺紋：

    4個(gè)M2×3負(fù)載安裝孔

    4個(gè)φ2.7安裝通孔

工作環(huán)境：

    安裝方向：XY水平，Z向垂直

    磁場(chǎng)范圍：0~31T

    溫度范圍：10mK~373K

    最小壓強(qiáng)（室溫，低溫）：1^-4mbar

    最小壓強(qiáng)（高真空，低溫高真空）：1^-8mbar

    最小壓強(qiáng)（超高真空，低溫超高真空）：5^-11mbar